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VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源,硅烷是在()完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-/n+Si界面
VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源,硅烷是在()完成的分解。可从下面选择:气相硅片表面n-/n+Si界面
正确答案:硅片表面
标签:
微电子工艺
硅烷
硅片
上一条:
外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长()薄膜。
下一条:
通常掩膜氧化采用的工艺方法为: