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在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是()。当偏离晶向()ψc注入时,可以避免。
在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是()。当偏离晶向()ψc注入时,可以避免。
A.沟道效应,<
B.沟道效应,>
C.横向效应,<
D.横向效应,>
正确答案:沟道效应,>
标签:
微电子工艺
沟道
效应
上一条:
在p-Si中扩磷13分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到1.5μm,在原条件下还要扩分钟。(只保留整数)
下一条:
形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?