首页
›
答案
›
题库
›
慕课
›
未分类
形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?
形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?
A.不可以
B.可以,实际注硼:QB+QSb
C.可以,实际注硼:QB-QSb
D.可以,实际注硼:QB
正确答案:可以,实际注硼:QB+QSb
标签:
微电子工艺
剂量
沟道
上一条:
在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是()。当偏离晶向()ψc注入时,可以避免。
下一条:
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: