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关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确:
A.注入离子越轻,临界剂量越小;
B.靶温升高,临界剂量上升;
C.注入离子能量越高,临界剂量越低;
D.注入离子剂量率增大,临界剂量降低。
正确答案:靶温升高,临界剂量上升;;注入离子能量越高,临界剂量越低;;注入离子剂量率增大,临界剂量降低。
标签:
微电子工艺
剂量
临界
上一条:
形成B的超浅结掺杂(剂量为QB)时,为了避免沟道效应可否先注入锑(剂量为QSb)再注入硼?实际注入了多少硼?
下一条:
离子注入硼无需退火就有电活性,所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。