首页
›
答案
›
题库
›
慕课
›
未分类
在p-Si中扩磷20分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到0.8μm,在原条件下还要扩散多长时间?
在p-Si中扩磷20分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到0.8μm,在原条件下还要扩散多长时间?
A.51.2min
B.31.2min
C.117min
D.104min
正确答案:31.2min
标签:
微电子工艺
条件下
上一条:
离子注入硼无需退火就有电活性,所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
下一条:
在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧,氧化层厚0.2μm时,结深是多少?(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)