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关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对?
关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对?
A.含H;
B.抗腐蚀性好;
C.台阶覆盖性较好;
D.是中温工艺;
E.常作为芯片的保护膜;
F.常作为腐蚀掩膜。
正确答案:含H;;台阶覆盖性较好;;常作为芯片的保护膜;
标签:
微电子工艺
台阶
保护膜
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poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的?
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等离子体是物质的一种热平衡存在形态。