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光刻工艺中脱水烘培,最主要的原因是()
光刻工艺中脱水烘培,最主要的原因是()
A、脱水:以去除吸附的大部分水汽
B、增加紫外光的能量
C、以便检验硅片的洁净度
D、提高硅片温度,节省软烘的时间
正确答案:脱水:以去除吸附的大部分水汽
标签:
硅片
水汽
光刻
上一条:
下列不属于在传统和双大马士革工艺中进行金属淀积工艺的是()
下一条:
下列对于CVD描述正确的是()