下列对于CVD描述正确的是（）

下列对于CVD描述正确的是（）
A、利用CVD工艺，在常温下也可以获得质量优良的薄膜
B、CVD过程中主要有高温分解、光分解、还原反应、氧化反应等化学反应
C、所形成薄膜的材料物质可以来自于外部的气体源或衬底内部材料（如热氧化中的Si衬底）
D、CVD吸附过程中，原子或分子通过自由降落附着在固态硅片表面上，没有成键过程
正确答案：CVD过程中主要有高温分解、光分解、还原反应、氧化反应等化学反应