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载流子

101利用霍尔传感器或霍尔片，可以测量下列哪些物理量？（）。
102位移电流与传导电流一样（）
103N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。
104场效应管靠（）导电。
105在相同温度情况下，本征锗中的载流子浓度比本征硅中的载流子浓度（）。
106晶体三极管工作时，电子和空穴两种载流子都参与导电，因此，又称为（）型器件。
107半导体导电的载流子是（）。
108按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可将电力电子器件分为单极型器件、双极型器件和复合型器件三种；下列器件中哪个器件是单极型器件（）。
109杂质半导体中少数载流子浓度取于（）。·
110N型半导体多数载流子是（）。·
111半导体导电的载流子是（）。·
112杂质半导体中多数载流子浓度取决于（）。·
113半导体中传导电流的载流子是（）。
114半导体中传导电流的载流子是（）
115在PN结形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
116关于洛伦兹力的方向，下列说法不正确的是（）
117分流电阻是指？
118NTC热敏电阻低温时，氧化物材料的载流子数目少，所以电阻大，随着温度升高，载流子数目增加，所以电阻值（）
119N型半导体其多数载流子是（），P型半导体其多数载流子是（）。
120杂质半导体中多数载流子的数量取决于（），少数载流子的数量取决于（）。
121PN结加正向电压时，其正向电流是由（）的。
122PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
123FET中只有一种极性的载流子参与导电，所以也称为单极型三极管。（）
124反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。（）
125反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
126本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）
127按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
128下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）。
129晶体三极管的反向电流是由（）运动形成的。
130对半导体而言，其正确的说法是（）。
131场效应管和双极型晶体管相比较，以下属于场效应管的特点的是（）。
132漂移电流是正向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。（）
133漂移电流是正向电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
134P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。（）
135P型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为多数载流子。
136P型半导体的多数载流子为空穴，故它带正电。（）
137自由电子和空穴都称为载流子，在本征半导体中自由电子和空穴总是分开出现，同时又不断复合。（）
138在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（）
139双极型晶体管和单极型晶体管中都有两种载流子参与导电。（）
140三极管基极的作用是（）载流子
141本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。（）
142自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。（）
143P型半导体的多数载流子是空穴，因此带正电。（）
144N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
145P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。（）
146N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。（）
147有二种不同材料的导体片，它们的载流子密度之比为1：2，厚度之比也为1：2，当通过它们的电流相同，垂直于它们的磁感应强度也相同时，则它们的霍尔电压之比为A.1：2B.2：1C.1：4D.4：1
148空间电荷区内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（）
149场效应管仅靠一种载流子导电。（）
150场效应管和三极管一样，都是有两种载流子（多子和少子）参与导电。（）
151N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，因此说N型半导体带负电。（）
152对于过渡金属氧化物，电阻率随温度变化主要依赖于载流子浓度，而迁移率随温度的变化相对来说可以忽略。
153半导体是导电性能介于金属和绝缘体之间的物质，其导电是借助载流子的迁移来实现的。
154漂移电流是温度电流，它由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
155优良OFET性能材料的基本特征有哪些？
156OFET的p-型载流子迁移特性主要取决于？
157OFET的双极载流子迁移特性主要取决于？
158三种不同的导体薄片，载流子浓度之比为1:2:3，厚度之比为1:2:3，当三者被通上相同的电流、垂直于它们的磁感应强度B也相同时，其霍尔电势差之比为：
159N型半导体中的多数载流子是（）。
160场效应管是靠（）导电。
161三极管是靠（）导电。
162场效应管是单极性载流子参与导电
163场效应管漏极电流由（）的漂移运动形成。不对的是
164空穴是一种载流子吗
165半导体内的载流子越多，导电能力越（）。
166在N型半导体中参与导电的多数载流子是（）。
167热敏电阻正是利用半导体载流子数目随着温度变化而变化的特性制成的（）敏感元件。
168利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量（）
169以对Si掺入As后形成的N型半导体为例，简述掺杂对半导体导电能力的影响。
170什么是非平衡载流子？
171为什么半导体掺杂可以提高其导电能力？
172晶体中的载流子分为（）和空穴。
173漂移运动
174非晶半导体中载流子的输运机制是怎样的？
175热平衡时载流子浓度由哪些因素决定？
176半导体中载流子的散射机构有哪几种？
177本征半导体的特征是什么？
178阐述影响本征半导体载流子浓度的主要因素。
179陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级。（）
180载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动，由此引起的电流称为漂移电流。（）
181半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？
182（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
183半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。
184半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
185在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（）
186一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。（）
187温度越高，载流子热运动的平均速度越大。（）
188能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的（），引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的（）的作用。
189简并半导体一般是（）掺杂半导体，这时（）对载流子的散射作用不可忽略。
190有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过（）实验来测量。
191半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（）增加，可制成（）。
192光生载流子发生辐射复合时，伴随着（），这就是半导体的（）现象，利用这种现象可制成（）。
193半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。
194当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
195载流子的漂移运动是由（）引起的。
196如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
197半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（）
198一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
199半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。
200在n型半导体中（）
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