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载流子

201在P型半导体中（）

202载流子在电场作用下的运动为（）。

203一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。

204半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）

205公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。

206对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。

207N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素构成的，其多数载流子是（）

208本征半导体硅或锗中掺中微量的三价元素后，其中多数载流子是

209N型半导体中多数载流子是

210载流子在漂移的单位距离内产生的电子―空穴对是指（）

211下列不属于影响光电二极管响应时间的因素是（）

212光敏电阻由于吸收了光量子能量，使得（）增加，导致电导率增加。

213半导体中的少数载流子产生的原因是（）。

214N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。

215N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。（本题4.0分

216双极型半导体三极管是由（）种载流子参与导电的半导体器件，它由（）个PN结组合而成，是一种（）控制电流源器件。

217按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为（）。

218在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于

219P型半导体的多数载流子是

220关于光检测器的响应速度以下表述不正确的是（）

221关于N型半导体，下面说法正确的有（）。

222关于P型半导体，下面说法正确的有（）。

223半导体中对导电性能起到主要作用的是（）。

224关于本征半导体，下面说法错误的是（）。

225P型半导体中空穴的浓度远大于（）载流子的浓度。

226对半导体而言其说法正确的是

227对半导体而言，其正确的说法是（）

228石墨烯在室温下的载流子迁移率约为（）

229OLED属于一种（）的有机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比。

230在垂直磁场中，水平运动的载流子所受的洛伦兹力与下列哪一项无关？（）

231在纯净半导体中掺入五价磷元素后，这种半导体的多数载流子是（）

232三极管发射区内的多数载流子进入基区的条件是什么？（）

233双异质结结构的半导体光源优于同质结结构的地方在于（）

234MOS管的特点是

235PN结中由载流子浓度差所形成的电流称为漂移电流。

236P型半导体中只有载流子空穴，N型半导体中只有载流子电子。

237硅太阳能电池串联电阻来源不包括（）。

238漂移电流是（正向，还是反向）电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。

239PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由向区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由向区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个，其方向由区指向区。的建立，对多数载流的起削弱作用，对少子的起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，形成。

240N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。

241漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

242PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由（）向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由（）向（）区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个（），其方向由（）区指向（）区。（）的建立，对多数载流子的（）起削弱作用，对少子的（）起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，（）形成。

243N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为（），少数载流子为（），不能移动的杂质离子带（）电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为（），少数载流子为（），不能移动的杂质离子带（）电。

244按照载流子参与导电的情况，可将电力电子器件分为（），（）和（）三类。

245NTC热敏电阻的导电性能取决于内部载流子（电子和空穴）（）。

246在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。

247按照载流子参与导电情况分类，晶闸管属于以下哪种类型的器件？

248P型半导体中参与导电的多数载流子是（）。

249杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）。

250在N型半导体中，多数载流子是（）。

251N型半导体的特点是：多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子。

252温度越高，载流子的数量越少。

253由于光照、温升、射线照射等引起的本征半导体共价键被破坏的现象称为（），产生两种载流子，分别是（）和（）。

254关于同一半导体中的载流子电子，下列说法正确的有

255受主杂质电离后向半导体提供（）作为参与导电的载流子

256半导体导电的载流子是（）

257杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

258N型半导体中多数载流子是自由电子，P型半导体中多数载流子是空穴。

259晶圆的电学参数检验包括：

260本征半导体的导电能力与（）有关。

261温度升高，本征半导体的载流子数量（）

262P型半导体少数载流子的数量取决于（）

263N型半导体的多数载流子的数量主要取决于（）

264P型半导体的多数载流子（）

265回旋共振实验可以测量半导体的参数（）

266霍尔元件的材料半导体材料，是因为半导体材料的（），从而使灵敏度KH高

267影响霍尔元件灵敏度的因素包括（）

268绝缘材料不适合作霍尔元件，是因为其

269霍尔元件的灵敏度与（）有关

270N型半导体中空穴为少数载流子，自由电子为载流子。（填多数或少数）

271P型杂质半导体中，空穴为（）载流子，自由电子为（）载流子。（填多数或少数）

272关于硅中载流子激发的说法中，错误的有（）

277电离涨落不严格遵守高斯分布的原因是（）

282光电二极管探测器响应时间由什么因素决定？

283半导体少数载流子产生的原因是（）

284不同的半导体材料，在同一温度T时，禁带宽度Eg越大，本征载流子浓度ni就越（）。

285正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现复合占优。

286反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。

287对于硅单晶而言，温度越高，其载流子浓度越低，导电性越差。

288以下哪些是本征半导体的电学特性？

289p型半导体以载流子为主。

290n型半导体以载流子为主。

291在PN结的交界面附近，两种多数载流子会做（）

292通常在源区和漏区增加源漏拓展区的轻掺杂区域是为降低、减小。

293下面对于电子导电回路、原电池和电解池回路的描述正确的是（）。

294下面对电子导体（第一类导体）描述正确的是（）。

295本征半导体温度升高后两种载流子浓度不相等。

296石墨中能够导电的载流子是（）

297以下哪些部分易引起载流子的复合？

298相比其它半导体材料，硅的优势不包括（）。

299由于含有受主杂质半导体的载流子为空穴，故掺有受主杂质的半导体也叫做（）。

300对于太阳能电池，半导体最重要的参数是（）。

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