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186301在Word2010中，要删除文档中所有的空行，最佳的方法是（）
186302在Word2010中，更新域的快捷键为（）
186303在Word2010中，关于尾注说法错误的是（）
186304关于Word2010的修订功能，表述错误的是（）
186305在Word2010中，超链接不可以连接到（）
186306下列操作可在MicrosoftOfficeWord中“另存为”时，设置开启文件所需保护密码的是（）
186307下列Word的功能中，可为图片或表格自动标示编号，以加入图片文字说明的是（）
186308在Word2010功能区中，插入脚注时应使用的选项卡为（）
186309在Word2010中，为了在一个文档中设置几种不同的页面格式，需要先对文档进行的操作是（）
186310Word2010中，实现图文混排最为方便的视图形式为（）
186311Word2010提供了灵活的打印范围设置，但不能实现的打印操作是（）
186312在Word2010中，将插入点快速定位到文档结尾处的键盘快捷键为（）
186313在Word2010中输入文字时，能够实现“插入”和“改写”状态切换的键位是（）
186314为了能够使用Word2003打开和编辑文档“年终报告.docx”,只需要将其文件名修改为“年终报告.doc”即可。
186315在建立MicrosoftOfficeWord索引之前，须先进行"标记索引项"的设置。
186316Excel?2010中，一个完整的函数包括（）
186317Excel单元格中，手动换行的方法是（）
186318在Excel2010中，进行分类汇总前，必须对数据进行（）
186319以下属于Python开发环境的是：（）
186320用print（）函数打印输出姓名的姓，即姓名中第一个汉字，姓名存储在name中，以下方法正确的是：（）
186321Python中单行注释可以#开头，而多行注释则以”’开头和结尾。（）
186322二进制是由谁首先发明的？（）
186323二进制数101101转化成八进制数是（）
186324计算机使用二进制的优势是：（）
186325图灵机是一种理论计算模型。
186326在计算方面，量子计算区别于冯·诺伊曼机的一个显著特点是：（）
186327一名程序员深处险境，他发出了一个暗号“6”，你觉得最可能的含义是：（）
1863281024被称为程序员节，你觉得最有可能的原因是：（）
186329CPU和散热器（风扇）之间会涂一层硅脂，它的作用是：（）
1863301000瓶酒可以用10只老鼠一次测出其中的1瓶毒酒，是因为：（）
186331被称为计算机领域最高奖项的是：（）
186332以下科学家获得过图灵奖的是：（）
186333一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子tgδ为0.02。求相对介电常数（）
186334如果输入电流所产生的磁场与外加磁场之和超过超导体的临界磁场Bc时,则超导态被破坏。（）
186335若把温度T从超导转变温度下降,则超导体的临界磁场也随之增加。（）
186336阳离子电荷高低对活化能也有影响。一价阳离子尺寸小，电荷少，活化能低，电导率大；相反，高价正离子，价键强，激活能高，故迁移率就低，电导率也低。（）
186337研究碱卤化合物的电导激活能发现，负离子半径增大，其正离子激活能显著降低，这样离子电导率便按NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI依次降低。（）
186338亚间隙机构与空位机构相比，造成的晶格变形大；与间隙机构相比，晶格变形小。AgBr晶体中的间隙Ag+的扩散，萤石型结构UO2+x晶体中间隙O2-的扩散属于亚间隙扩散机构。（）
186339氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。（）
186340少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为。（）
186341在MgO中形成Schottky缺陷时，缺陷反应式为。（）
186342晶体产生Frenkel缺陷时，晶体体积变大，晶体密度变小。（）
186343ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.606g/cm3，这种情况下产生间隙型固溶体。（）
186344下述缺陷反应方程正确：。（）
186345在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中，氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。（）
186346如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？（）
186347半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（）
186348EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（）
186349砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（）
186350GaN比GaAs的禁带宽度宽；这与N比As的电负性强有关。（）
186351化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。（）
186352II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（）
186353一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（）
186354在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（）
186355金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。（）
186356同一种晶体中电子的迁移率μe大于空穴的迁移率μh。（）
186357俘获了空穴的阳离子空位为F心。（）
186358导体从正常态转变为超导态的温度是超导体的临界温度Tc。（）
186359处于超导态的超导体是一抗磁体，此时超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。（）
186360在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成正偏压。（）
186361n-型半导体负电吸附，p-型半导体正电吸附，表面电导率增加。（）
186362空间电荷层形成耗尽层，材料表面电导率降低。（）
186363当表面能级低于半导体的费米能级，即为受主表面能能级时，从半导体内部俘获电子而带负电，内层带正电在表面附近形成表面空间电荷层。（）
186364比较下列几种玻璃的电导率的大小关系：纯石英玻璃、5.0%氧化钠玻璃、6.0%氧化钠玻璃、3.0%氧化钠和3.0%氧化钾玻璃、3.0%氧化钠和3.0%氧化钙玻璃、6.0%氧化钙玻璃
186365写出钛酸钡BaTiO3中掺入氧化镧（La2O3）的缺陷化学方程式为，并判断其电导属性为n型半导体。（）
186366金属的电导率随温度的升高而升高；无机非金属材料的电导率随温度的升高而降低。（）
186367电子导电材料中温度对载流子迁移率的影响为：低温下杂质离子对电子的散射起主要作用，高温下声子对电子的散射起主要作用。（）
186368离子晶体中的离子电导常温下以本征电导为主，高温下以杂质电导为主。（）
186369因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数大于金属。（）
186370设有一条内径为30mm的厚壁管道，被厚度为0.1mm的铁膜隔开，通过向管子一端向管内输入氮气，以保持膜片一侧氮气浓度为1200mol/m3，而另一侧的氮气浓度为100mol/m3。如在700℃下测得通过管道的氮气流量为2.8×10-4mol/s，求此时氮气在铁中的扩散系数。()
186371在（773K）所做扩散实验指出，在金属1010个原子中有一个原子具有足够的激活能可以跳出其平衡位置而进入间隙位置，在时，此比例会增加到109，问：（1）此跳跃所需要的激活能？（2）在（973K）具有足够能量的原子所占的比例为多少？()
186372空位随温度升高而增加，在和之间，由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%，而密度减少2.0%，假设在时，此金属中每1000个单位晶胞中有1个空位，试估计在时每1000个单位晶胞中有多少个空位？（bcc铁单位晶胞中有2个原子，假设晶格不变）（）
186373TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位，分子表达式为TiO2-x。此时电子浓度、氧空位浓度和氧分压的关系为：（）
186374高温结构材料Al2O3可以用ZrO2来实现增韧，也可以用MgO来促进Al2O3的烧结，如加入0.2mol%ZrO2，固溶体分子式为：（）
186375在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？（）
186376在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度？（）
186377方镁石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常数是0.42nm，计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目（MgO为立方晶系，1个MgO晶胞中有4个MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（）
186378透辉石CaMg[Si2O6]硅酸盐矿结构属何种结构类型？（）
186379已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5′1010cm-3，试求掺磷浓度为1.5′1013cm-3，掺硼浓度为1.0′1013cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置（Ec-EF）。已知此时硅中杂质原子已全部电离，硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8′1019cm-3和1.1′1019cm-3。()
186380n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV，施主原子的局域能级为1.00eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0eV。（）
186381单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
186382硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度N=8.8×1018/cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5eV/K）（）
186383已知NaCl的A1=5.0×107s·m-1，W1=169kJ/mol，A2=50s·m-1，W2=82kJ/mol；计算在300K时的电导率。（）
186384已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm，固有振动频率为1012Hz，晶格势能垒为0.5eV，求300K时的离子迁移率为（）。
186385体心立方格子的倒格子是面心立方，倒格矢的长度(基矢的长度)为（）
186386Na的密度1.013g/cm3，原子量为22.99，计算Na在0K时自由电子的平均能量（）
186387Cu的密度8.92g/cm3，原子量为63.55，计算Cu的EF0（）
186388如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（）
186389计算能量为54eV电子的德布罗意波长以及它的波数（）
186390费密能EF表示T＞0K时电子占有几率为（）的能级能量
186391量子自由电子学说认为自由电子的行为服从（）
186392霍尔系数只与金属中的（）有关。
186393对于二维正方格子，第一布里渊区角上π/a(1,1)的自由电子动能是区边中心点π/a(1,0)的几倍（）
186394比较碱金属元素Li、Na、K、Rb、Cs的费密能大小（）
186395环丙烷不稳定，容易发生开环反应，也容易和高锰酸钾等强氧化剂发生氧化反应。（）
186396下列关于构象的说法中，不正确的是：（）
186397下列关于自由基反应的说法中，不正确的是：（）
186398下列关于反应机理和过渡态理论的说法中，正确的是（）
186399烷烃分子各构象之间的转换总是处于动态平衡之中，各种构象一般不能分离。温度越高，烷烃分子各构象之间的转变越快。（）
186400低温时，烷烃分子总是以优势构象——交叉式构象存在。（）
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