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60001颜真卿的楷书被称为（）
60002颜真卿晚期作品是（）
60003颜真卿中期作品是（）
60004颜真卿早期作品是（）
60005谁与赵孟頫、柳公权、欧阳询并称“楷书四大家”。（）
60006欧阳询的楷书被称为（）
60007以下哪一项相传为唐代书法家欧阳询所创制。（）
60008《九成宫碑》由谁撰文。（）
60009欧阳询经历了几个朝代？（）
60010（）与虞世南、褚遂良、薛稷“初唐四大家”之誉。
60011《黄庭经》中，捺画的字多采用左边收敛右边放纵的方法处理。
60012王羲之的楷书，把钟书的翻变为敛，笔法称为外拓。
60013王字结体多呈扁方，古质朴厚。
60014后人把王羲之书写的《黄庭经》叫做换鹅经。
60015《黄庭经》是中国道教的经典著作，内容是以七言歌诀讲述道教养生修炼的道理。
60016我们常说的楷书四大家“颜柳欧赵”是指颜真卿,柳公权,欧阳询,赵孟頫。
60017楷书的繁荣时期是在隋唐五代.
60018楷书根据大小可分为大楷、小楷、中楷。
60019楷书的特征是横平竖直。
60020下面那两幅作品是王羲之所书（）
60021下面描述正确的是（）
60022《石门颂》的特点是（）
60023曹全碑在艺术风格上属于哪类（）
60024隶书是通行于哪个时期的一种书体（）
60025《张迁碑》是哪个朝代的？
60026哪一项是《张迁碑》的全称？
60027《张迁碑》用笔特点（）
60028哪一项不是《张迁碑》的结构特点（）
60029《张迁碑》现陈列于哪个碑廊？
60030关于曹全碑的结构特点正确的是（）
60031下面关于曹全碑描述正确的是（）
60032曹全碑的点画特点错误的是?
60033曹全碑现藏于哪里（）
60034下面描述正确的是?
60035下面描述《礼器碑》的笔画特点正确的是?
60036下面关于《礼器碑》的特点，哪些是对的?
60037隶书的典型特征是什么（）
60038哪个时期，在书法界形成了碑学的革新浪潮（）
60039张迁碑在艺术风格上属于哪类（）
60040隶书兴盛于哪个时期?
60041隶书是通行于时期的一种书体（）
60042甲骨文风格划分，可以划分为四期。
60043甲骨文的结构有：前辞，命辞，占辞和验辞。
60044篆书包括甲骨文和大篆。
60045《三坟记》是唐代篆书大家李阳冰的代表作品。
60046下面甲骨文的称呼，那项是错误的？
60047《峄山碑》的线条如筷子一般，所以叫（）
60048《峄山碑》此碑被（）登峄山时推倒。
60049作为《峄山碑》的碑文书写者李斯的描述不准确的是哪一项（）。
60050“长安本”《峄山碑》翻刻（）的摹本为最佳，碑阴有郑文宝题记，现藏于西安碑林。
60051《峄山碑》摹刻甚多，而首推由（）所翻刻他的老师的摹本为最佳，现藏于西安碑林。世称“长安本”。
60052金文分为商朝金文、（）、东周金文和秦汉金文。
60053金文的制造方式只有铸模一种方式。
60054金文又称钟鼎文、吉金文字。
60055青铜器的礼器以鼎为代表，乐器以钟为代表。
60056下面那两个作品是商朝金文（）
60057我们可以从书法用笔、结字和（）的角度审视甲骨文的文字特点
60058甲骨文的结构有：前辞，命辞，（）和验辞。
60059甲骨文风格划分，可以划分为五期。
60060甲骨文刻在兽骨或龟甲上。
60061下面甲骨文的称呼，那项是错误的？（）
60062《三坟记》是唐代篆书大家（）的代表作品.
60063秦小篆的代表作品《峄山碑》是（）的作品？
60064（）是我国最早的石刻文字，世称“石刻之祖”。
60065篆书包括甲骨文、大篆和（）
60066下面四个选项中，那两幅是梦英的代表作品（）
60067晶体管具有放大能力的极限频率为特征频率，超过这一频率值晶体管不能实现电压放大。
60068增益-带宽积标志着晶体管的放大能力。
60069共发射极连接的晶体管最大功率增益考察的是晶体管的最高振荡频率，和特征频率无关。
60070晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。
60071晶体管工作在中频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都不可忽略。
60072晶体管工作在低频时，混合π形等效电路中集电结和发射结电容都可忽略。
60073在晶体管T型等效电路中，高频情况下，集电极电阻远大于集电极势垒电容等效阻抗，因此并联情况下，集电极电阻可以忽略。
60074在共发射极电路中，采用混合π形等效电路更容易在各频段进行简化。
60075本征晶体管的T形等效电路不需要考虑寄生，因此不需要考虑基极电阻rbb。
60076考虑基区宽度调制效应，在本征晶体管的T形等效电路中加入并联于电流源的电阻rc。
60077晶体管的发射结电阻是常数。
60078晶体管用作放大器时，静态工作点由交流通路决定，而放大器的增益、输出电阻等由它的直流通路决定。
60079晶体管等效电路通常的表示方法是混合Π型参数等效电路，属于物理模型等效电路。（）
60080晶体管等效电路中，gmUbe表示晶体管放大作用的等效电流源。其中gm是跨导，表示晶体管放大能力。（）
60081若晶体管使用频率非常高，必须考虑管壳的寄生参量，特别是（）。
60082高频优值定义为功率增益与（）的乘积，该值越大，晶体管放大能力（）。
60083晶体管的工作频率增加一倍，则功率增益（）。
60084由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。
60085考虑混合π形等效电路，将晶体管分为低频段、中频段和高频段的两个分界频率值为（）。
60086本征晶体管的T形等效电路也称为（）参数等效电路（）。
60087晶体管发射极电流，集电极电流，集电极电流之间满足（）。
60088推导晶体管的小信号等效电路时，首先将其等效为（）端口网络
60089小信号等效电路中的“小信号”属于（）
60090实际晶体管等效电路相比本征部分，多出的部分不包括（）。
60091本征参数是指由一维连续方程导出的（）。
60092晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。（）
60093为减小BJT集电极延迟时间常数，可通过减小集电极串联电阻和集电极电容。（）
60094为减小BJT集电结势垒区渡越时间，可通过增加集电区掺杂浓度，降低集电极电阻率，减小击穿电压。（）
60095对于双极型晶体管，共发射极电流放大系数截止频率比共基极电流放大系数截止频率低得多。（）
60096双极型晶体管的集电极延迟时间是由集电结扩散电容的充放电引起的。（）
60097硅晶体管中载流子的极限漂移速度比锗管的大（）。
60098少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（）。
60099由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（）的充放电效应。
60100以下措施中，不能提高晶体管截止频率的一项是（）。
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