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60101以下影响晶体管共基极电流放大系数截止频率的时间常数是（）。

60102以npn晶体管为例，ic与inc相比，相位（），幅度（）。

60103流过晶体管结电阻的发射极电流（）被集电区接收，流过发射极扩散电容的发射极电流（）被集电区接收（）。

60104晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成（）发生，基极电流的相位（）于发射极电流的变化（）。

60105双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的（）。

60106随着BJT工作频率的升高，基区输运系数的幅值（），滞后相移（）。

60107双极型晶体管的电流增益-带宽乘积指的是（）。

60108考虑BJT有效基区扩展效应，随着发射极电流的增加，晶体管共发射极电流放大系数增大。

60109双极型晶体管做共发射极连接使用时，Early效应能有效调节集电极电流大小，使晶体管工作稳定。（）

60110双极型晶体管发射极电流集边效应是指发射结中心部分的电流密度较低，发射极电流主要集中在发射极的边缘部分。（）

60111对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。

60112漂移晶体管的阻滞电场和加速电场是针对基区中的多子而言的。

60113双极型晶体管发射结势垒区复合以及大注入都会使输入输出特性曲线非理想。（）

60114双极型晶体管工作在线性区时可做开关使用，工作在饱和区时可做放大使用。

60115共基极连接使用的双极型晶体管没有电压放大作用，但是有电流和功率放大作用。

60116双极型晶体管的发射极和集电极是等效的，使用时可以互换不会影响晶体管的放大作用。

60117考虑Early效应对双极型晶体管共基极连接使用的影响，以下说法中不正确的是（）。

60118双极型晶体管大注入时，将引起基区电导（）。

60119平面双极型晶体管的实际工艺中，基区的掺杂采用杂质总量不变的方法而形成的分布是（）。

60120BJT大注入情况下不会引起（）。

60121实际晶体管做共发射极连接使用时，输出特性曲线中不同基极电流对应的曲线切线交于同一点，以下关于其原因的说法中正确的是（）。

60122引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。

60123以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了（）在基区中的运动，该载流子做（）运动。（）

60124NPN双极型晶体管具有放大作用，要求基区宽度足够小。原因不包括（）。

60125双极型晶体管具有电流放大能力的条件不包括（）。

60126pn结加负偏压时，是以势垒电容为主。

60127单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。

60128大注入时正向电流的扩散系数相比小注入时增加了一倍的原因是大注入产生的内建电场具有加速少子运输的作用，效果上相当于扩散系数增加一倍。

60129反向截止时，少子漂流形成的漏电流是功耗的一大原因。

60130pn结的净电流为零的原因是pn结中没有电荷的移动。

60131pn结空间电荷区形成的自建电场的方向是从p指向n。

60132PN结锗管比硅管更容易发生热击穿。

60133考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。

60134PN结雪崩效应和隧道效应引起的击穿统称为电击穿。

60135PN结扩散电容是由势垒区两边积累的非平衡多子电荷随外加电压变化而引起的。

60136pn结实际电流电压特性偏离理想值的原因不包括（）。

60137锗pn结的正向导通电压大约为（）V。

60138在pn结空间电荷区中，n区留下（）。

60139下列关于PN结隧道击穿的说法中，错误的是（）。

60140通常PN结雪崩击穿电压与温度之间的关系是（）。

60141实际PN结的空间电荷区不满足耗尽层近似，相当于势垒高度（）。

60142下列说法中，哪一项不是对PN结空间电荷区充电（）。

60143下列关于PN结整流效应的说法中，错误的是（）。

60144下列关于PN结的说法中，错误的是（）。

60145在一定温度下，以下措施不能使PN结的接触电势差变大的是（）。

60146PN结势垒区电势最低的位置是（）。

60147在半导体中，电子按照能量大小服从一定的统计分布规律。一般量子态具有的能量越高，电子占据的概率越大。

60148费米统计律与玻尔兹曼统计律的主要差别在于前者收到泡利不相容原理的限制。

60149导带中的电子可能和价带中的空穴复合，释放出的能量以声子的形式发射出去，这一过程称为辐射复合。

60150在一块半导体中同时掺入N型杂质和P型杂质，会发生杂质补偿作用，施主能级和受主能级上的电荷先相互抵消，剩下的电荷才能成为导电粒子。

60151闪锌矿型结构和纤锌矿型结构都是正四面体结构，其中闪锌矿型结构具有六方对称性，纤锌矿型结构具有立方对称性。

60152如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。

60153下列关于复合中心的说法中，错误的是（）。

60154下列关于费米能级的说法错误的是（）。

60155硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是（），离（）近。

60156下列关于能带结构的说法中，错误的是（）。

60157设N个硅原子排列起来结合形成硅晶体，根据不相容原理，原来属于N个单个原子的相同价电子能级必定分裂成属于整个晶体的N个能级，可以容纳的电子数为（）。

60158半导体电阻率的温度系数为（），金属电阻率的温度系数为（）。

60159对于金刚石结构，原子面密度最大和最小的面密勒指数分别是（）。

60160金刚石结构是由两个（）结构沿空间对角线错开四分之一长度互相套构而成。（）

60161硅的晶格结构是（），按能带结构划分属于（）。

60162（）属于非法的价格竞争方法。

60163（）不属于价格歧视。

60164以下价格竞争方法中，（）属于合法的价格竞争方法。

60165企业在制定产品价格时，除产品成本因素外，通常不需要考虑（）的影响。

60166在完全竞争市场中，企业应使用（）作为产品定价方法。

60167成本加成定价法中，成本加成率的计算公式为（）。

60168成本加成定价法中，可以选择（）作为成本基数。

60169以下定价方法中，不属于长期产品定价决策的定价方法的是（）。

60170影响产品价格的因素不包括（）。

60171企业产品定价决策的作用包括（）。

60172实现目标利润的销量等于（）。

60173假设A企业仅生产销售一种产品，每件产品的单价为5元，单价敏感系数为5。假定其他条件不变，A企业盈亏平衡时的单价为（）。

60174假设A企业仅生产销售一种产品，单价敏感系数为5。假定其他条件不变，A企业盈亏平衡时的单价为（）

60175在其他条件不变时，若使利润上升50%，单位变动成本需下降10%；若使利润上升40%，销售量需上升20%，那么（）。

60176敏感系数的公式为（）。

60177以下有关因素临界值确定正确的为（）。

60182本量利分析的基本假设不包括（）。

60183把固定制造费用分摊到每一件产品，可能（）。

60184某企业按照完全成本法计算产品单位成本，下列做法中不能降低产品单位成本的有（）。

60185变动成本法下，可以降低产品单位成本的方法有（）。

60186把固定制造费用分摊到每一件产品，可能（）

60187下列属于完全成本法优点的是（）。

60188下列属于变动成本法优点的是（）。

60189某企业生产经营甲产品，各期的固定性制造费用水平相同，各期的产量相等，若某一年年末甲产品库存量大于年初库存量，下列关于利润大小的判断正确的是（）。

60190在完全成本法下，销售收入减去本期已销产品的销售成本等于（）。

60191在变动成本法下，销售收入减变动成本等于（）。

60192某企业产品单位完全成本10元/件，单位价格15元/件，若销售数量比上年增长10%，则完全成本法下的利润（）。

60193某企业经营甲产品，当期生产量为5000件，有关成本资料如下表。成本项目单位变动成本固定成本直接材料7元直接人工6元制造费用5元50000元销售费用8元8000元管理费用9000元按照变动成本法计算的单位产品成本是（）。

60194企业为提供一定的生产经营条件而发生的成本是（）。

60195其余条件不变，增加产品生产数量，按变动成本法计算的产品单位成本（）。

60196其余条件不变，增加产品生产数量，按完全成本法计算的产品单位成本（）。

60197完全成本法与变动成本法在计算产品生产成本时，主要差异在（）。

60198造成“某期按变动成本法与按完全成本法确定的营业净利润不相等”的根本原因是（）。

60199成本函数图形的斜率表示（）。

60200下列关于回归分析法的表述中，正确的是（）。

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