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半导体物理学

101nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
102电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。
103受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
104如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
105在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（）
106GaAs的导带极值位于布里渊区（）
107若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）
108欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（）
109某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（）
110对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（）
111硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件
112对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
113如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。
114半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（）
115把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。
116根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（）
117一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。
118一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
119硅导带结构为（）。
120半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。
121如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
122同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）。
123杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。
124一般半导体它的价带顶位于（），而导带底位于（）。
125一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。
126当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
127在n型半导体中（）
128重空穴是指（）
129PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（）
130当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。
131在P型半导体中（）
132自补偿效应的起因是（）
133下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。
134与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
135电子在晶体中的共有化运动时指（）
136最有利陷阱作用的能级位置在（）附近
137最有效的复合中心能级位置在（）附近。
138载流子在电场作用下的运动为（）。
139杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
140砷有效的陷阱中心位置（）
141一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。
142半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）
143Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
144金属和半导体接触分为：（）。
145导带底的电子是（）。
146空穴是（）。
147与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
148对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。
149对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
150砷化稼的能带结构是（）能隙结构。
151本征半导体是指（）的半导体。
152有效复合中心的能级必靠近（）。
153公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。
154锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
155MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。
156如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。
157在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。
158将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。
159在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
160在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）
161当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。
162对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。
163将Si掺杂入GaAs中，若Si取代Ga则起（）杂质作用。
164对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）。
165对大注入条件下，在一定的温度下，非平衡载流子的寿命与（）。
166联大学堂《半导体物理学（周口师范学院）》题库及答案
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