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未分类

19601Their animal fat consumption is less than that of other Americans.
19602To investigate the patients’ satisfaction after surgery, we carried out a self-designed questionnaire survey.
19603Crouching from the standing position, gluteal muscle contracture may make them unable to bring both knees together.
19604Compared with the control group, the effective rate was significantly higher in the experimental group.
19605Presenting as mean ± standard deviation, the results were analyzed with SPSS 23.
19606Checked with MRI, their history of intramuscular injection was routinely inquired.
19607Astragalus could inhibit the expression of proapoptotic genes and enhance that of inhibiting-apoptotic genes in ischemia area after cerebral ischemia.
19608The two spans of 420 and 720 seconds were selected for apoptosis assessment and to observe the cell viability.
19609Spine surgery is a sub-specialty of orthopedics that has been developing rapidly in recent years and important.
19610They have been conned by big business into believing that they need the protein in meat and the milky calcium in order to thrive.
19611The mode, methods, and how to address the problems of bilingual teaching of burn surgery for the seven-year medical program students are discussed in this paper.
19612A 2010 survey published in《Dermatologic Surgery》revealed that both men and women deemed tanned individuals much more attractive.
19613Torii et al.found out that “the impact of plasma onto liver cancer cells led to death through apoptosis.”
19614Cell death is a gene-controlled form of programmed death, it is closely related with oral mucosa carcinogenesis.
19615Mechanical stress plays an important role in the cell proliferation, differentiation, apoptosis, gene expression and tissue growth.
19616This graph indicates that the cellular mortality rates after 420、520、and 720 seconds of radiation were 55%、58%、and 77%, respectively.
19617Helium plasma is injected from this channel with a jet length of 1 to 10 millimeters, depending on the working gas flow ranging from two hundred to one thousand fifty hundred standard cubic centimeters per minute.
19618Two typical spectra which recorded the two characteristic positions of the ring electrode with a He flux of 1,000 sccm are shown in Fig.2.
19619The treatments by low-ultraviolet plasma resulted in a long term post irradiation inhibition of bacterial growth.
19620our innovation to the standard plasma reactor design is a ring electrode, which is placed on the outer wall of the glass tube.
19621For these reasons, it is crucial to have tight control of the plasma dose (It has been proven by numerous previous studies) during clinical plasma treatments.
19622硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两个硅表面的羟基团吸引形成氢键所致。
19623目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技术和智能剥离技术。
19624硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。
19625外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
19626以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）
19627以下不是外延硅的主要缺陷（）
19628以下对于硅外延生长描述不正确的是（）
19629以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）
19630直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。
19631氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质。
19632直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质。
19633直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
19634直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。
19635以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）
19636以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）
19637以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是（）
19638直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。
19639可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。
19640在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
19641掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
19642Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
19643以下对于直拉生长描述错误的是（）
19644在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）
19645不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）
19646硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数都大于1.
19647熔区次数的选择可以根据经验公式得到：n=(1~1.5)L/l
19648区熔可以重复多次，使杂质尽量被集中在头尾两端，提纯中部的材料，且熔区越长越好。
19649区熔硅可以在气氛中含氮来抑制微缺陷，增加机械强度。
19650区熔的熔区移动速度越小，提纯效果越好。
19651区熔提纯利用分凝原理。
19652硅烷法的成本低，但是安全性差。
19653硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。
19654半导体硅的性能对于杂质非常敏感，一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。
19655以下描述错误的是（）A.电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”
19656以下描述正确的是（）A.硅材料在自然界中非常丰富，存在天然的晶体硅
19657以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是（）
19658硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离，电阻率与掺杂浓度呈反比关系。
19659硅材料本身是没有电活性的，可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。
19660硅晶体的最密排面是{111}面，第一解离面是{110}面。
19661形成P型硅的掺杂剂是（）
19662以下对于硅材料特性的描述正确的是（）
19663以下对于硅的化学性质描述正确的是（）
19664以下对于硅材料的性质的描述正确的是（）
19665以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有（）
19666CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
19667区熔法可以生长熔点极高的晶体。
19668液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
19669生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。
19670SiC可以用熔体生长法。
19671生长非常高熔点的氧化物（如：钇铝石榴石）一般用什么方法（）
19672目前生长半导体体单晶最常见的方法是（）
19673以下熔体生长法生长晶体描述正确的是（）
19674硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。
19675在体系中存在外来质点（比如尘埃、固体颗粒、籽晶等），在外来质点上成核叫做均匀成核。
19676晶体生长时，体系的自由能随着晶核半径的增加而增加。
19677晶体生长过程中，只有达到一定的过冷度时，才能自发进行熔-固相转变。
19678以下对于晶体生长的方法描述错误的是（）
19679以下对于非均匀形核的描述错误的是（）
19680以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是（）
19681以下对于晶体生长描述正确的是（）
19682在光伏领域，硅材料是应用最为广泛的半导体材料。
19683为了保证利用电活性掺杂剂准确控制载流子浓度，半导体材料本身必须高纯，没有或尽量少杂质。
19684半导体的导电特性与金属相同。
19685半导体材料是一门交叉了材料、能源、信息三大类的学科。
19686以下对于半导体的描述错误的是（）
19687半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性（）
19688以下对于半导体材料电学特性描述正确的是（）
19689以下几种材料为宽禁带半导体的是（）
19690爆炸喷涂技术的实质是利用脉冲式气体爆炸的能量将被喷涂的粉末材料加热轰击到工作表面后形成坚固涂层。
19691镀液技术管理通常配制新鲜镀液、镀液净化、电镀过程中镀液的维护、报废镀液的处理等几个部分。
19692扩散是各种原子在体系中趋向均匀化的过程。为了使这种均匀化加速，各种原子必须得到足够的能量，使它们能以一定的速度移动，因此需要加热。
19693电镀过程中阴极工件发生金属氧化。
19694形状复杂的工件应采用铬酸电镀。
19695钢铁的化学氧化膜成分为Fe3O4.
19696化学镀没有搅拌镀浴的必要。
19697电镀用的阳极一定是可溶性阳极。
19698可以使用塑料作为导电杆。
19699硬铬层的主要性能是硬度高、耐磨性好。
19700镀铬电解液分散能力非常好。
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