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集成电路封装技术

101较长的凝胶时间促使较快的聚合速率和较短的模塑周期，提高了产量。
102测量热固性塑封料的凝胶时间通常用阿基米德螺旋模具
103弯曲强度越大或模量越大说明材料越易变形。
104导电胶粘贴法也称高分子胶或树脂粘贴法，它采用环氧树脂、酚醛、硅树脂等作为粘合剂，加入（）作为导电材料。
105共晶方法中合金的熔点一般（）合金中纯金属的熔点。
1061965年，（）提出了摩尔定律
107（）肖克利等三人发明了第一支晶体管
108化学机械抛光技术的英文缩写为（）
109在芯片的焊接粘结中，下列哪个不属于硬质焊料
110封装的功能不包括：
111半导体指常温下（）介于导体与绝缘体之间的材料。
112（）划片技术，是一种非接触划片技术。
113芯片的贴装就是把芯片装配到（）或引线架上的工艺。
114下列哪项不属于晶圆磨片的目的：
115获得集成电路需要经历的过程包括（）
116芯片贴装的方法包括：
117属于芯片制造中后道工序的有：
118封装技术的演进趋势包括以下哪些方面。
1191947年肖克利、巴丁、布拉坦发明第一支晶体管
120摩尔定律描述:芯片上所集成的晶体管数目,每隔12个月就翻一番
121摩尔定律描述：微处理器的性能每隔18个月提高1倍,而价格下降２倍
122196３年摩尔发明了摩尔定律。
123激光划片速度为２－３mm/s，划片速度较快。
124封装的第四层次是将芯片与基板或引脚架进行粘结固定，形成模组元件。
125微电子学的核心是集成电路技术。
126半导体指常温下导电性能介于固体与液体之间的材料。
127半导体指常温下介电常数介于导体与绝缘体之间的材料。
128焊接粘结中，硬质焊料一般包括（）
129软质焊料一般包括（）
130芯片贴装中（）的尺寸要与晶粒的尺寸相匹配。
131芯片贴装是将芯片放置并黏着固定于（）或引脚架承载座上的工艺过程。
132常用的贴装方法包括（）导电胶粘结法、玻璃胶粘结、焊接粘结。
133微电子学的核心是
134集成电路的生产以（）为界限划分为前道工序和后道工序。
135（）是制造晶圆最常用的材料
136对晶圆进行背面减薄的技术称为（）
137晶圆贴膜的目的是（）
138将晶粒之间的间距增大，以求在贴片工艺的时候可以方便地取出每个晶粒的工艺称为（）
139在芯片贴装中，采用导电胶粘结法，加入银浆的目的是
140芯片的成型一般在（）工艺之后。
141成型工艺是将芯片与（）包装起来的技术?
142哪种封装在市场上占有率最高?
143（）是集成电路唯一不变的编码
144最靠近厂家标志的地方一般标（）
145倒装芯片技术中（）技术可以缓冲焊点受机械振动和热应力失配导致基板对芯片拉力作用引起的焊点裂纹和失效，提高可靠性。
146制作TAB引线图形的金属材料常用（），采用（）
147下列属于芯片封装技术涉及的领域有
148封装的功能包括
149集成电路的获得需要经历哪些过程？
150在芯片贴装中，采用导电胶粘结法，加入银浆和氧化铝粉的目的是
151激光打码机利用的是激光的（）特性
152芯片互连的方法有：
153封装第一层次是将芯片与基板或引脚架进行粘结固定，形成模组元件。
154封装技术的演进趋势包括：芯片尺寸越来越小，工作效率越来越高，引脚越来越多，对散热的要求越来越低。
155摩尔定律描述芯片上所集成的晶体管数目,每隔12个月就翻一番
156硅晶圆的尺寸增大，为了保证硅圆片质量，圆片厚度相应变薄，给圆片切割带来了难度。
157在芯片贴装中，采用导电胶粘结法，加入氧化铝粉的目的是提高导热性
158焊接粘结中，硬质焊料一般包括金硅、金锡和金锗。
159焊接粘结中软质焊料一般包括锡铅，金锡。
160电镀工艺中镀层金属在阳极，待镀物质在阴极。
161生产序列号是集成电路唯一不变的编码
162WB指引线键合技术
163FCB指载带键合技术
164TAB指倒装芯片技术
165凸点下金属层，主要起到黏附和扩散阻挡的作用。
166下列哪种封装可以用于直插式ｐｃｂ
167下列哪种封装不可以用于表面贴装工艺（）
168柔性基板ＣＳＰ的垫片利用（）制成
169低温共晶焊料的成分为
170高温共晶焊料的成分为
171TBGA采用的基板为PI多层布线基板，焊球材料为
172称为载带球栅阵列的是
173在金属封装中，扁平式和腔体式封装采用（）的方法对管座和盖板进行封接。
174哪个不属于储能焊的特点
175哪个不属于陶瓷材料的特点：
176在陶瓷封装工艺中加入玻璃粉末的目的是：
177下列哪种封装可以用于表面贴装工艺
178刚性ＣＳＰ的垫片可以利用（）制成
179符合气密性封装材料要求的有：
180不属于气密性封装的材料有
181符合金属封装特点的是：
182在金属封装中，平台式和圆形封装采用（）的方法对管座和盖板进行封接。
183属于储能焊的特点是
184引线框架ＣＳＰ封装类型由日本Fujitsu公司首次开发
185柔性ＣＳＰ封装类型由日本Fujitsu公司首次开发
186引线框架ＣＳＰ封装与传统的塑封工艺完全相同，只是采用的框架小一些、薄一些
187引线框架ＣＳＰ封装与陶瓷封装工艺完全相同，只是采用的框架小一些、薄一些
188晶圆级ＣＳＰ封装是在晶圆阶段完成大部分工艺的一种封装。
189CSP是BGA进一步微型化的产物，又称uBGA
190陶瓷封ＢＧＡ的焊球材料为高熔点共晶焊料合金
191塑封ＢＧＡ的焊球材料为高熔点共晶焊料合金
192在陶瓷的封装工艺中，加入玻璃粉末的目的是为了提高烧结的温度
193金属封装材料钨、钼具有与硅Si和砷化镓GaAs相近的热膨胀系数，且导热性很好，可用于芯片的支撑材料。
194金属封装材料钨，具有密度较大的缺点，不适合在航空航天产品中使用
195铜也是一种金属封装材料，但是纯铜机械性能较差。
196表征材料在弹性极限内抵抗弯曲变形的能力是
197高分子聚合物的性质突变点所对应的温度称为
198玻璃态转变为高弹态所对应的温度称为
199会影响热膨胀系数和玻璃化转变温度测试的试验因素不包括
200下列物质中，热导率最高的是
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